导通电阻(RDS(on)):42Ω@0V,100mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):540pF@25V,连续漏极电流(Id):170mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 42Ω@0V,100mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
耗散功率(Pd) | 2.5W | |
输入电容(Ciss) | 540pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 170mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥12.59/个 |
10+ | ¥10.72/个 |
30+ | ¥9.55/个 |
100+ | ¥8.36/个 |
500+ | ¥7.81/个 |
1000+ | ¥7.58/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.9736
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