写周期时间(Tw):-,块擦除时间(tBE):2ms,存储容量:4Gbit,工作温度:-40℃~+105℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:-,接口类型:Parallel,擦写寿命:100000次,数据保留 - TDR(年):-,时钟频率(fc):-,页写入时间(Tpp):300us
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 块擦除时间(tBE) | 2ms | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | - | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |