反向传输电容(Crss):23pF,导通电阻(RDS(on)):8Ω@10V,1A,导通电阻(RDS(on)):8Ω@10V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):110pF,连续漏极电流(Id):2A,阈值电压(Vgs(th)):1V,阈值电压(Vgs(th)):2.4V@1mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@10V,1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@1mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥21.08/个 |
| 10+ | ¥18.13/个 |
| 30+ | ¥16.38/个 |
| 100+ | ¥14.39/个 |
| 500+ | ¥13.57/个 |
| 1000+ | ¥13.2/个 |
整盘
单价
整盘单价¥12.144
3300 PCS/盘
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