导通电阻(RDS(on)):380mΩ@4.5V,650mA,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):150mW,连续漏极电流(Id):750mA,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V,650mA | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
连续漏极电流(Id) | 750mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.185/个 |
200+ | ¥0.146/个 |
600+ | ¥0.125/个 |
2000+ | ¥0.112/个 |
8000+ | ¥0.101/个 |
16000+ | ¥0.0946/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09292
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