反向传输电容(Crss):1pF,导通电阻(RDS(on)):1000Ω@0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):10pF,输出电容(Coss):3.5pF,连续漏极电流(Id):13mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 1pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 1000Ω@0V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 500V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 0.36W | |
输入电容(Ciss) | 10pF | |
输出电容(Coss) | 3.5pF | |
连续漏极电流(Id) | 13mA |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥10.27/个 |
10+ | ¥8.54/个 |
30+ | ¥7.59/个 |
100+ | ¥6.52/个 |
500+ | ¥6.04/个 |
1000+ | ¥5.82/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.3544
3000 PCS/盘
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