反向传输电容(Crss):1pF,导通电阻(RDS(on)):1000Ω@0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):10pF,输出电容(Coss):3.5pF,连续漏极电流(Id):13mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1000Ω@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.36W | |
| 输入电容(Ciss) | 10pF | |
| 输出电容(Coss) | 3.5pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 13mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥10.99/个 |
| 10+ | ¥9.26/个 |
| 30+ | ¥8.31/个 |
| 100+ | ¥7.24/个 |
| 500+ | ¥6.76/个 |
| 1000+ | ¥6.54/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.0168
3000 PCS/盘
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