反向传输电容(Crss):3pF@10V,导通电阻(RDS(on)):2.8Ω@10V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):310mW,耗散功率(Pd):1.67W,输入电容(Ciss):23.6pF@10V,连续漏极电流(Id):270mA,阈值电压(Vgs(th)):2.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2.8Ω@10V,200mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 310mW | |
耗散功率(Pd) | 1.67W | |
输入电容(Ciss) | 23.6pF@10V | |
连续漏极电流(Id) | 270mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.116/个 |
200+ | ¥0.0892/个 |
600+ | ¥0.0742/个 |
3000+ | ¥0.0652/个 |
9000+ | ¥0.0573/个 |
21000+ | ¥0.0531/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.05998
3000 PCS/盘
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