反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):570mΩ@4.5V,600mA,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.82nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):110pF,连续漏极电流(Id):0.915A,阈值电压(Vgs(th)):1.1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 12pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 570mΩ@4.5V,600mA | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.82nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 110pF | |
连续漏极电流(Id) | 0.915A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.238/个 |
200+ | ¥0.19/个 |
600+ | ¥0.166/个 |
3000+ | ¥0.138/个 |
9000+ | ¥0.123/个 |
21000+ | ¥0.116/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.12696
3000 PCS/盘
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