温馨提示：图片仅供参考，商品以实物为准
1个N沟道 耐压:250V 电流:150mA
扩展库- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 厂家型号
- TN5325K1-G
- 商品编号
- C626653
- 商品封装
- SOT-23-3
- 商品毛重
- 0.000167千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):7Ω@10V,1A,工作温度:-55℃~+150℃@(Ta),数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):250V,耗散功率(Pd):360mW,输入电容(Ciss):110pF@25V,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):2V
找到类似商品：0 种查看类似商品
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@10V,1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Ta) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 耗散功率(Pd) | 360mW | |
| 输入电容(Ciss) | 110pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
数据手册PDF
放大查看预订参考价
5.38 / PCS库存总量
0 PCS电话
顶部
元器件购物车