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LND150N8-G
扩展库- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 厂家型号
- LND150N8-G
- 商品编号
- C629123
- 商品封装
- SOT-89
- 商品毛重
- 0.000084千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):1pF,导通电阻(RDS(on)):1000Ω@0V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):10pF,连续漏极电流(Id):30mA,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1000Ω@0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 10pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.39/个 |
| 10+ | ¥6.26/个 |
| 30+ | ¥6.18/个 |
| 100+ | ¥6.1/个 |
| 102+ | ¥6.1/个 |
| 104+ | ¥6.1/个 |
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