反向传输电容(Crss):25pF@25V,导通电阻(RDS(on)):6Ω@10V,750mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):350V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):200pF,连续漏极电流(Id):1A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 25pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,750mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 350V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 200pF | |
连续漏极电流(Id) | 1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥15.35/个 |
10+ | ¥11.52/个 |
30+ | ¥8.866/个 |
100+ | ¥7.781/个 |
500+ | ¥7.291/个 |
1000+ | ¥7.0804/个 |
整盘
单价
整盘单价¥7.0804
2000 PCS/盘