反向传输电容(Crss):12pF,导通电阻(RDS(on)):15Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):400V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):300pF,输出电容(Coss):50pF,连续漏极电流(Id):180mA,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 15Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 400V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 输出电容(Coss) | 50pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 180mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥28.191/个 |
| 10+ | ¥24.373/个 |
| 30+ | ¥20.849/个 |
| 100+ | ¥20.539/个 |
| 102+ | ¥20.539/个 |
| 104+ | ¥20.539/个 |
整盘
单价
整盘单价¥20.539
1000 PCS/盘