传播延迟(tpd):4us,共模抑制比(CMRR):70dB,单电源:1.6V~5.5V,响应时间(tr):0.85us,工作温度:-40℃~+125℃,最大电源宽度(Vdd-Vss):7V,比较器数:-,比较器数:双路,滞后电压(Vhys):6.5mV,轨到轨:轨到轨输入,轨到轨输出,输入偏置电流(Ib):1pA,输入失调电压(Vos):7mV,输入失调电压温漂(Vos TC):3uV/℃,输入失调电流(Ios):1pA,输出模式:TTL,输出模式:CMOS,输出类型:推挽,输出类型:开漏,输出类型:TTL,输出类型:MOS,输出类型:推挽,输出类型:TTL,输出类型:轨到轨,静态电流(Iq):600nA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 比较器 | |
传播延迟(tpd) | 4us | |
共模抑制比(CMRR) | 70dB | |
单电源 | 1.6V~5.5V | |
响应时间(tr) | 0.85us | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
最大电源宽度(Vdd-Vss) | 7V | |
比较器数 | - | |
比较器数 | 双路 | |
滞后电压(Vhys) | 6.5mV | |
轨到轨 | 轨到轨输入,轨到轨输出 | |
输入偏置电流(Ib) | 1pA | |
输入失调电压(Vos) | 7mV | |
输入失调电压温漂(Vos TC) | 3uV/℃ | |
输入失调电流(Ios) | 1pA | |
输出模式 | TTL | |
输出模式 | CMOS | |
输出类型 | 推挽 | |
输出类型 | 开漏 | |
输出类型 | TTL | |
输出类型 | MOS | |
输出类型 | 推挽 | |
输出类型 | TTL | |
输出类型 | 轨到轨 | |
静态电流(Iq) | 600nA |