块擦除时间(tBE):18ms,存储容量:32Mbit,工作温度:-40℃~+85℃,工作电压:2.7V~3.6V,待机电流:20uA,接口类型:并口(Parallel),擦写寿命:10000次,数据保留 - TDR(年):100年
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 块擦除时间(tBE) | 18ms | |
| 存储容量 | 32Mbit | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 20uA | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 擦写寿命 | 10000次 | |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥59.68/个 |
| 10+ | ¥50.98/个 |
| 30+ | ¥45.68/个 |
| 96+ | ¥39.59/个 |
| 98+ | ¥39.59/个 |
| 100+ | ¥39.59/个 |
整盘
单价
整盘单价¥39.59
96 PCS/盘