导通电阻(RDS(on)):34mΩ@18V,29A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):94nC@18V,漏源电压(Vdss):750V,耗散功率(Pd):176W,输入电容(Ciss):2320pF@500V,连续漏极电流(Id):56A,阈值电压(Vgs(th)):4.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 34mΩ@18V,29A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@18V | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 输入电容(Ciss) | 2320pF@500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥164.19/个 |
| 3+ | ¥164.19/个 |
| 5+ | ¥164.19/个 |
| 30+ | ¥155.55/个 |
| 32+ | ¥155.55/个 |
| 34+ | ¥155.55/个 |
整盘
单价
整盘单价¥152.669
450 PCS/盘
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