共模抑制比(CMRR):80dB,压摆率(SR):20V/us,双电源(Vee ~ Vcc):-18V~-4V,双电源(Vee ~ Vcc):4V~18V,噪声密度(eN):16nV/√Hz@1kHz,增益带宽积(GBP):5MHz,工作温度:-40℃~+125℃,放大器数:1,放大器数:单路,输入偏置电流(Ib):40pA,输入失调电压(Vos):1.7mV,输入失调电压温漂(Vos TC):8uV/°C,输入失调电压温漂(Vos TC):2uV/℃,输入失调电流(Ios):2pA,输出电流:28mA,静态电流(Iq):1.35mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | FET输入运放 | |
共模抑制比(CMRR) | 80dB | |
压摆率(SR) | 20V/us | |
双电源(Vee ~ Vcc) | -18V~-4V | |
双电源(Vee ~ Vcc) | 4V~18V | |
噪声密度(eN) | 16nV/√Hz@1kHz | |
增益带宽积(GBP) | 5MHz | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
放大器数 | 1 | |
放大器数 | 单路 | |
输入偏置电流(Ib) | 40pA | |
输入失调电压(Vos) | 1.7mV | |
输入失调电压温漂(Vos TC) | 8uV/°C | |
输入失调电压温漂(Vos TC) | 2uV/℃ | |
输入失调电流(Ios) | 2pA | |
输出电流 | 28mA | |
静态电流(Iq) | 1.35mA |