共模抑制比(CMRR):116dB,压摆率(SR):170V/us,双电源(Vee ~ Vcc):5V~15V,双电源(Vee ~ Vcc):-15V~-5V,增益带宽积(GBP):79MHz,工作温度:-40℃~+125℃,放大器数:1,最大电源宽度(Vdd-Vss):30V,输入偏置电流(Ib):5pA,输入失调电压(Vos):200uV,输入失调电压温漂(Vos TC):1uV/℃,输入失调电流(Ios):5pA,输出电流:45mA,静态电流(Iq):7mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | FET输入运放 | |
共模抑制比(CMRR) | 116dB | |
压摆率(SR) | 170V/us | |
双电源(Vee ~ Vcc) | 5V~15V | |
双电源(Vee ~ Vcc) | -15V~-5V | |
增益带宽积(GBP) | 79MHz | |
工作温度 | -40℃~+125℃ | |
放大器数 | 1 | |
最大电源宽度(Vdd-Vss) | 30V | |
输入偏置电流(Ib) | 5pA | |
输入失调电压(Vos) | 200uV | |
输入失调电压温漂(Vos TC) | 1uV/℃ | |
输入失调电流(Ios) | 5pA | |
输出电流 | 45mA | |
静态电流(Iq) | 7mA |