共模抑制比(CMRR):100dB,压摆率(SR):12V/us,双电源(Vee ~ Vcc):-20V~20V,噪声密度(eN):15nV/√Hz@1kHz,增益带宽积(GBP):6.5MHz,工作温度:0℃~+70℃,放大器数:单路,最大电源宽度(Vdd-Vss):40V,轨到轨:-,输入偏置电流(Ib):40pA,输入失调电压(Vos):50uV,输入失调电压温漂(Vos TC):1.2uV/℃,输入失调电流(Ios):5pA,输出电流:-,静态电流(Iq):5.5mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | FET输入运放 | |
共模抑制比(CMRR) | 100dB | |
压摆率(SR) | 12V/us | |
双电源(Vee ~ Vcc) | -20V~20V | |
噪声密度(eN) | 15nV/√Hz@1kHz | |
增益带宽积(GBP) | 6.5MHz | |
工作温度 | 0℃~+70℃ | |
放大器数 | 单路 | |
最大电源宽度(Vdd-Vss) | 40V | |
轨到轨 | - | |
输入偏置电流(Ib) | 40pA | |
输入失调电压(Vos) | 50uV | |
输入失调电压温漂(Vos TC) | 1.2uV/℃ | |
输入失调电流(Ios) | 5pA | |
输出电流 | - | |
静态电流(Iq) | 5.5mA |