共模抑制比(CMRR):98dB,压摆率(SR):30V/us,双电源(Vee ~ Vcc):-15V~15V,噪声密度(eN):20nV/√Hz@1000Hz,增益带宽积(GBP):35MHz,工作温度:-40℃~+85℃,放大器数:单路,最大电源宽度(Vdd-Vss):40V,电源纹波抑制比(PSRR):100dB,稳定时间:3us,轨到轨:-,输入偏置电流(Ib):40pA,输入失调电压(Vos):600uV,输入失调电压温漂(Vos TC):2uV/℃,输入失调电流(Ios):220pA,输入失调电流温漂(Ios TC):4pA/℃,输出电流:5.6mA,输出类型:-,静态电流(Iq):3.3mA
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | FET输入运放 | |
共模抑制比(CMRR) | 98dB | |
压摆率(SR) | 30V/us | |
双电源(Vee ~ Vcc) | -15V~15V | |
噪声密度(eN) | 20nV/√Hz@1000Hz | |
增益带宽积(GBP) | 35MHz | |
工作温度 | -40℃~+85℃ | |
放大器数 | 单路 | |
最大电源宽度(Vdd-Vss) | 40V | |
电源纹波抑制比(PSRR) | 100dB | |
稳定时间 | 3us | |
轨到轨 | - | |
输入偏置电流(Ib) | 40pA | |
输入失调电压(Vos) | 600uV | |
输入失调电压温漂(Vos TC) | 2uV/℃ | |
输入失调电流(Ios) | 220pA | |
输入失调电流温漂(Ios TC) | 4pA/℃ | |
输出电流 | 5.6mA | |
输出类型 | - | |
静态电流(Iq) | 3.3mA |