反向传输电容(Crss):65pF@25V,导通电阻(RDS(on)):130mΩ@10V,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):27nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):132W,输入电容(Ciss):832pF@25V,连续漏极电流(Id):18A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 65pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 130mΩ@10V | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
耗散功率(Pd) | 132W | |
输入电容(Ciss) | 832pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 18A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |