反向传输电容(Crss):90pF@25V,导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):42nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):85W,输入电容(Ciss):1365pF@48V,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 90pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 85W | |
输入电容(Ciss) | 1365pF@48V | |
连续漏极电流(Id) | 50A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.248/个 |
50+ | ¥1.765/个 |
150+ | ¥1.559/个 |
500+ | ¥1.3/个 |
2500+ | ¥1.185/个 |
5000+ | ¥1.116/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0902
2500 PCS/盘
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