反向传输电容(Crss):15pF@16V,导通电阻(RDS(on)):380mΩ@4.5V,650mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):120pF@16V,连续漏极电流(Id):0.75A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 15pF@16V | |
导通电阻(RDS(on)) | 380mΩ@4.5V,650mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
输入电容(Ciss) | 120pF@16V | |
连续漏极电流(Id) | 0.75A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.653/个 |
50+ | ¥0.509/个 |
150+ | ¥0.437/个 |
500+ | ¥0.383/个 |
2500+ | ¥0.34/个 |
5000+ | ¥0.318/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.318
8000 PCS/盘