反向传输电容(Crss):125pF@8V,导通电阻(RDS(on)):38mΩ@4.5V,4.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道+1个P沟道,栅极电荷量(Qg):11nC@4.5V,栅极电荷量(Qg):12nC@2.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):800pF@8V,连续漏极电流(Id):5A,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 125pF@8V | |
导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V,4.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 11nC@4.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 12nC@2.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 800pF@8V | |
连续漏极电流(Id) | 5A | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.546/个 |
50+ | ¥0.437/个 |
150+ | ¥0.382/个 |
500+ | ¥0.341/个 |
3000+ | ¥0.308/个 |
6000+ | ¥0.292/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.28336
3000 PCS/盘
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