反向传输电容(Crss):72pF,导通电阻(RDS(on)):93mΩ@10V,工作温度:-40℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):31nC@44V,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):79W,输入电容(Ciss):660pF,连续漏极电流(Id):20A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 72pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 93mΩ@10V | |
工作温度 | -40℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 31nC@44V | |
漏源电压(Vdss) | 55V | |
耗散功率(Pd) | 79W | |
输入电容(Ciss) | 660pF | |
连续漏极电流(Id) | 20A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |