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NTS4101PT1G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTS4101PT1G
- 商品编号
- C68182
- 商品封装
- SOT-323
- 商品毛重
- 0.000032千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):85pF@20V,导通电阻(RDS(on)):83mΩ@4.5V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.329W,输入电容(Ciss):840pF@20V,连续漏极电流(Id):1.37A,阈值电压(Vgs(th)):0.45V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 85pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 83mΩ@4.5V,1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.329W | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.37A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.45V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.455/个 |
| 50+ | ¥0.328/个 |
| 150+ | ¥0.265/个 |
| 500+ | ¥0.217/个 |
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| 6000+ | ¥0.16/个 |
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