反向传输电容(Crss):7.1pF,导通电阻(RDS(on)):0.23Ω@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):32W,输入电容(Ciss):1250pF,输出电容(Coss):81pF,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.1pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.23Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 输入电容(Ciss) | 1250pF | |
| 输出电容(Coss) | 81pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.755/个 |
| 10+ | ¥1.736/个 |
| 50+ | ¥1.0458/个 |
| 100+ | ¥0.899/个 |
| 500+ | ¥0.834/个 |
| 1000+ | ¥0.804/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.0458
50 PCS/盘