反向传输电容(Crss):3.1pF@100V,导通电阻(RDS(on)):77mΩ@10V,24A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):78nC@10V,漏源电压(Vdss):600V,耗散功率(Pd):391W,输入电容(Ciss):3.685nF@100V,输出电容(Coss):134pF,连续漏极电流(Id):47A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.1pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 77mΩ@10V,24A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 耗散功率(Pd) | 391W | |
| 输入电容(Ciss) | 3.685nF@100V | |
| 输出电容(Coss) | 134pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 47A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥18.97/个 |
| 10+ | ¥16.29/个 |
| 30+ | ¥14.2/个 |
| 90+ | ¥12.59/个 |
| 510+ | ¥11.85/个 |
| 990+ | ¥11.51/个 |
整盘
单价
整盘单价¥13.064
30 PCS/盘
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