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TPB65R120M
扩展库- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 厂家型号
- TPB65R120M
- 商品编号
- C691629
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.00192千克(kg)
- 包装方式
- 编带
商品参数
反向传输电容(Crss):4pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.12Ω@10V,15A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):57nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):219W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.12Ω@10V,15A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 耗散功率(Pd) | 219W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥14.94/个 |
| 10+ | ¥12.72/个 |
| 30+ | ¥11.33/个 |
| 100+ | ¥9.91/个 |
| 500+ | ¥9.27/个 |
| 800+ | ¥8.99/个 |
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