反向传输电容(Crss):3pF@100V,导通电阻(RDS(on)):0.135Ω@10V,15A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):57nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):219W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):3V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 3pF@100V | |
导通电阻(RDS(on)) | 0.135Ω@10V,15A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 700V | |
耗散功率(Pd) | 219W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥15.14/个 |
10+ | ¥12.88/个 |
30+ | ¥11.02/个 |
90+ | ¥9.57/个 |
510+ | ¥8.92/个 |
1200+ | ¥8.63/个 |
整盘
单价
整盘单价¥10.1384
30 PCS/盘
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