反向传输电容(Crss):216pF@15V,导通电阻(RDS(on)):17mΩ@10V,20A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):41nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):-,输入电容(Ciss):2087pF@15V,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 216pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 17mΩ@10V,20A | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | - | |
输入电容(Ciss) | 2087pF@15V | |
连续漏极电流(Id) | 30A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.851/个 |
60+ | ¥0.677/个 |
144+ | ¥0.569/个 |
576+ | ¥0.504/个 |
2880+ | ¥0.453/个 |
5760+ | ¥0.427/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.62284
72 PCS/盘
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