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TTB135N68A
扩展库- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 厂家型号
- TTB135N68A
- 商品编号
- C691683
- 商品封装
- TO-263-2
- 商品毛重
- 0.002644千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):396pF@30V,导通电阻(RDS(on)):4.2mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):114nC@10V,漏源电压(Vdss):68V,耗散功率(Pd):160W,输入电容(Ciss):6.646nF@30V,连续漏极电流(Id):135A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 396pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@10V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 输入电容(Ciss) | 6.646nF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.65/个 |
| 10+ | ¥2.88/个 |
| 30+ | ¥2.5/个 |
| 100+ | ¥2.12/个 |
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