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TMB160N08A
扩展库- 品牌名称
- 无锡紫光微
- 厂家型号
- TMB160N08A
- 商品编号
- C691687
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.002256千克(kg)
- 包装方式
- 管装
商品参数
反向传输电容(Crss):350pF@40V,导通电阻(RDS(on)):3.7mΩ@10V,30A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):180nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):283W,输入电容(Ciss):9nF@40V,连续漏极电流(Id):160A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF@40V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@10V,30A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 283W | |
| 输入电容(Ciss) | 9nF@40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 160A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.93/个 |
| 10+ | ¥4.81/个 |
| 50+ | ¥4.25/个 |
| 100+ | ¥3.7/个 |
| 500+ | ¥3.37/个 |
| 1000+ | ¥3.2/个 |
| 2000+ | ¥3.16/个 |
| 4000+ | ¥3.13/个 |
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