反向传输电容(Crss):420pF@15V,导通电阻(RDS(on)):9mΩ@10V,导通电阻(RDS(on)):13mΩ@4.5V,工作温度:-40℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):81nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):3.5W,输入电容(Ciss):3980pF@15V,输出电容(Coss):450pF,连续漏极电流(Id):30A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 3980pF@15V | |
| 输出电容(Coss) | 450pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.204/个 |
| 50+ | ¥0.881/个 |
| 150+ | ¥0.691/个 |
| 500+ | ¥0.571/个 |
| 2500+ | ¥0.517/个 |
| 5000+ | ¥0.485/个 |
| 10000+ | ¥0.479/个 |
| 20000+ | ¥0.474/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.485
5000 PCS/盘