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CMB50N20
扩展库- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 厂家型号
- CMB50N20
- 商品编号
- C6939661
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.001742千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- -
商品参数
反向传输电容(Crss):65pF,导通电阻(RDS(on)):55mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):50nC,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):350W,输入电容(Ciss):3700pF,输出电容(Coss):550pF,连续漏极电流(Id):50A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 350W | |
| 输入电容(Ciss) | 3700pF | |
| 输出电容(Coss) | 550pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.299/个 |
| 10+ | ¥5.092/个 |
| 30+ | ¥4.484/个 |
| 100+ | ¥3.886/个 |
| 500+ | ¥3.439/个 |
| 800+ | ¥3.259/个 |
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