反向传输电容(Crss):95pF,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):10nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.96W,输入电容(Ciss):580pF,连续漏极电流(Id):6A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):0.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 95pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.96W | |
| 输入电容(Ciss) | 580pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.616/个 |
| 20+ | ¥0.489/个 |
| 60+ | ¥0.426/个 |
| 200+ | ¥0.378/个 |
| 1000+ | ¥0.297/个 |
| 2400+ | ¥0.279/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.279
6000 PCS/盘