反向传输电容(Crss):22pF@25V,导通电阻(RDS(on)):220mΩ@10V,9A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):27.5nC@10V,漏源电压(Vdss):800V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):151W,输入电容(Ciss):1.29nF@25V,输出电容(Coss):380pF,连续漏极电流(Id):18.4A,阈值电压(Vgs(th)):3.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@10V,9A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 27.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 151W | |
| 输入电容(Ciss) | 1.29nF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 380pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 18.4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥14.67/个 |
| 10+ | ¥12.42/个 |
| 50+ | ¥11/个 |
| 100+ | ¥9.56/个 |
| 500+ | ¥8.9/个 |
| 1000+ | ¥8.62/个 |
整盘
单价
整盘单价¥10.12
50 PCS/盘
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