反向传输电容(Crss):65pF@10V,导通电阻(RDS(on)):49mΩ@4.5V,3.4A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:2个P沟道,栅极电荷量(Qg):4.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.3W,输入电容(Ciss):550pF@10V,输出电容(Coss):89pF,连续漏极电流(Id):3.7A,阈值电压(Vgs(th)):620mV
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 49mΩ@4.5V,3.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF@10V | |
| 输出电容(Coss) | 89pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.7A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 620mV |