反向传输电容(Crss):68pF@15V,导通电阻(RDS(on)):21mΩ@10V,5.6A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):5.2nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.2W,输入电容(Ciss):490pF@15V,输出电容(Coss):92pF,连续漏极电流(Id):5.6A,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 68pF@15V | |
导通电阻(RDS(on)) | 21mΩ@10V,5.6A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 5.2nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
类型 | N沟道 | |
耗散功率(Pd) | 1.2W | |
输入电容(Ciss) | 490pF@15V | |
输出电容(Coss) | 92pF | |
连续漏极电流(Id) | 5.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.29/个 |
100+ | ¥0.235/个 |
300+ | ¥0.207/个 |
3000+ | ¥0.164/个 |
6000+ | ¥0.147/个 |
9000+ | ¥0.139/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.15088
3000 PCS/盘
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