反向传输电容(Crss):15pF@16V,导通电阻(RDS(on)):520mΩ@4.5V,0.66A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):150mW,输入电容(Ciss):170pF@16V,连续漏极电流(Id):0.66A,阈值电压(Vgs(th)):0.35V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 15pF@16V | |
导通电阻(RDS(on)) | 520mΩ@4.5V,0.66A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 150mW | |
输入电容(Ciss) | 170pF@16V | |
连续漏极电流(Id) | 0.66A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.35V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.199/个 |
200+ | ¥0.156/个 |
600+ | ¥0.133/个 |
2000+ | ¥0.119/个 |
8000+ | ¥0.0907/个 |
16000+ | ¥0.0841/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.08344
8000 PCS/盘
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