反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):18nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.96W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):6.6A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 2个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 18nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.96W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 6.6A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.912/个 |
50+ | ¥0.891/个 |
150+ | ¥0.876/个 |
500+ | ¥0.862/个 |
510+ | ¥0.862/个 |
520+ | ¥0.862/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.79304
3000 PCS/盘
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