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VBZM630
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBZM630
- 商品编号
- C700718
- 商品封装
- TO-220AB
- 商品毛重
- 0.00274千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):80pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.27Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):30nC@10V,漏源电压(Vdss):200V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):121W,输入电容(Ciss):800pF@25V,输出电容(Coss):110pF,连续漏极电流(Id):10A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.27Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 121W | |
| 输入电容(Ciss) | 800pF@25V | |
| 输出电容(Coss) | 110pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 10A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.749/个 |
| 10+ | ¥3.0515/个 |
| 50+ | ¥2.482/个 |
| 100+ | ¥2.134/个 |
| 500+ | ¥1.921/个 |
| 1000+ | ¥1.819/个 |
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