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VBZMB20N65
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- VBZMB20N65
- 商品编号
- C700735
- 商品封装
- TO-220F
- 商品毛重
- 0.00285千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):4pF@100V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):110nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):30W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):13A,阈值电压(Vgs(th)):5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@100V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 30W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.829/个 |
| 10+ | ¥6.528/个 |
| 50+ | ¥5.202/个 |
| 100+ | ¥4.403/个 |
| 500+ | ¥4.0375/个 |
| 1000+ | ¥3.885/个 |
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