反向传输电容(Crss):11pF@16V,导通电阻(RDS(on)):370mΩ@4.5V,650mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.1nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.15W,输入电容(Ciss):60pF@16V,连续漏极电流(Id):0.77A,阈值电压(Vgs(th)):0.35V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 11pF@16V | |
导通电阻(RDS(on)) | 370mΩ@4.5V,650mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.1nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.15W | |
输入电容(Ciss) | 60pF@16V | |
连续漏极电流(Id) | 0.77A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.35V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.315/个 |
100+ | ¥0.25/个 |
300+ | ¥0.218/个 |
1000+ | ¥0.194/个 |
5000+ | ¥0.153/个 |
10000+ | ¥0.143/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.143
10000 PCS/盘