反向传输电容(Crss):-,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@10V,10A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@4.5V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):52.1W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):75A,阈值电压(Vgs(th)):1V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,10A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 52.1W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.2/个 |
| 50+ | ¥0.941/个 |
| 150+ | ¥0.831/个 |
| 500+ | ¥0.692/个 |
| 3000+ | ¥0.59/个 |
| 6000+ | ¥0.554/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.5428
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