上升时间(tr):-,下降时间(tf):-,传播延迟 tpHL:200ns,传播延迟 tpLH:200ns,工作温度:-40℃~+125℃,工作电压:4.4V~45V,拉电流(IOH):1A,灌电流(IOL):1.25A,特性:欠压保护(UVP),特性:过压保护(OVP),特性:过热保护(OTP),负载类型:MOSFET,输入低电平(VIL):0.8V,输入高电平(VIH):2V,静态电流(Iq):15mA,驱动通道数:6,驱动配置:三相
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 电机驱动芯片 | |
| 上升时间(tr) | - | |
| 下降时间(tf) | - | |
| 传播延迟 tpHL | 200ns | |
| 传播延迟 tpLH | 200ns | |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 工作电压 | 4.4V~45V | |
| 拉电流(IOH) | 1A | |
| 灌电流(IOL) | 1.25A | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 特性 | 过压保护(OVP) | |
| 特性 | 过热保护(OTP) | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 输入低电平(VIL) | 0.8V | |
| 输入高电平(VIH) | 2V | |
| 静态电流(Iq) | 15mA | |
| 驱动通道数 | 6 | |
| 驱动配置 | 三相 |