反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):0.016Ω@10V,34A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):110nC,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):110W,输入电容(Ciss):2430pF,连续漏极电流(Id):56A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.016Ω@10V,34A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 110nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 输入电容(Ciss) | 2430pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 56A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.71/个 |
| 10+ | ¥3.77/个 |
| 30+ | ¥3.3/个 |
| 100+ | ¥2.83/个 |
| 500+ | ¥2.55/个 |
| 1000+ | ¥2.41/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.313
2000 PCS/盘
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