反向传输电容(Crss):1.6pF,导通电阻(RDS(on)):900mΩ@10V,2A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):7.1nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):32W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):4.5A,阈值电压(Vgs(th)):2.9V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.6pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V,2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 32W | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.0472/个 |
| 50+ | ¥1.433/个 |
| 150+ | ¥1.105/个 |
| 500+ | ¥0.93/个 |
| 2500+ | ¥0.852/个 |
| 5000+ | ¥0.805/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.852
2500 PCS/盘