反向传输电容(Crss):310pF,导通电阻(RDS(on)):6mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):130nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.13W,输入电容(Ciss):2900pF,输出电容(Coss):750pF,连续漏极电流(Id):110A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 310pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.13W | |
| 输入电容(Ciss) | 2900pF | |
| 输出电容(Coss) | 750pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.573/个 |
| 10+ | ¥3.706/个 |
| 50+ | ¥2.975/个 |
| 100+ | ¥2.55/个 |
| 500+ | ¥2.287/个 |
| 1000+ | ¥2.159/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.737
50 PCS/盘
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