反向传输电容(Crss):26pF,导通电阻(RDS(on)):19mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):22nC@10V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):0.96W,输入电容(Ciss):245pF,输出电容(Coss):90pF,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 19mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 22nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.96W | |
| 输入电容(Ciss) | 245pF | |
| 输出电容(Coss) | 90pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.753/个 |
| 10+ | ¥0.734/个 |
| 30+ | ¥0.721/个 |
| 100+ | ¥0.708/个 |
| 102+ | ¥0.708/个 |
| 104+ | ¥0.708/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.708
2500 PCS/盘