反向传输电容(Crss):5pF,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):35pF,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.35W | |
| 输入电容(Ciss) | 35pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.131/个 |
| 200+ | ¥0.0872/个 |
| 600+ | ¥0.0606/个 |
| 3000+ | ¥0.0541/个 |
| 9000+ | ¥0.0485/个 |
| 21000+ | ¥0.0455/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.0541
3000 PCS/盘