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DMG3415U-7-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- DMG3415U-7-VB
- 商品编号
- C709946
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000045千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):190pF,导通电阻(RDS(on)):0.034Ω@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):8.4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1.6W,输入电容(Ciss):695pF,输出电容(Coss):265pF,连续漏极电流(Id):5A,阈值电压(Vgs(th)):0.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.034Ω@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 8.4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.6W | |
| 输入电容(Ciss) | 695pF | |
| 输出电容(Coss) | 265pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.327/个 |
| 50+ | ¥0.32/个 |
| 150+ | ¥0.316/个 |
| 500+ | ¥0.312/个 |
| 510+ | ¥0.312/个 |
| 520+ | ¥0.312/个 |
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